|
|
|
Тип памяти:
ddr;
Форм-фактор:
dimm;
Тактовая частота:
333 мгц;
Пропускная способность:
2700 мб/с;
Объем:
1 модуль 1024 мб;
Поддержка ECC:
есть;
Буферизованная (Registered):
да;
Низкопрофильная (Low Profile):
нет;
|
|
|
Тип памяти:
ddr2;
Форм-фактор:
fb-dimm;
Тактовая частота:
667 мгц;
Пропускная способность:
5300 мб/с;
Объем:
1 модуль 1024 мб;
Поддержка ECC:
есть;
Буферизованная (Registered):
да;
Низкопрофильная (Low Profile):
нет;
|
|
|
Тип памяти:
ddr2;
Форм-фактор:
dimm 240-контактный;
Тактовая частота:
533 мгц;
Пропускная способность:
4200 мб/с;
Объем:
1 модуль 1024 мб;
Поддержка ECC:
нет;
Буферизованная (Registered):
нет;
Низкопрофильная (Low Profile):
нет;
CAS Latency (CL):
4;
Напряжение питания:
1.8 в;
|
|
|
Тип памяти:
ddr2;
Форм-фактор:
dimm 240-контактный;
Тактовая частота:
533 мгц;
Пропускная способность:
4200 мб/с;
Объем:
2 модуля по 1024 мб;
Поддержка ECC:
нет;
Буферизованная (Registered):
нет;
Низкопрофильная (Low Profile):
нет;
CAS Latency (CL):
4;
Напряжение питания:
1.8 в;
|
|
|
Тип памяти:
ddr2;
Форм-фактор:
dimm 240-контактный;
Тактовая частота:
533 мгц;
Пропускная способность:
4200 мб/с;
Объем:
1 модуль 512 мб;
Поддержка ECC:
нет;
Буферизованная (Registered):
нет;
Низкопрофильная (Low Profile):
нет;
CAS Latency (CL):
4;
Напряжение питания:
1.8 в;
|
|
|
Тип памяти:
ddr2;
Форм-фактор:
sodimm 200-контактный;
Тактовая частота:
533 мгц;
Пропускная способность:
4200 мб/с;
Объем:
1 модуль 1024 мб;
Поддержка ECC:
нет;
Буферизованная (Registered):
нет;
Низкопрофильная (Low Profile):
нет;
CAS Latency (CL):
4;
RAS to CAS Delay (tRCD):
4;
Row Precharge Delay (tRP):
4;
|
|
|
Тип памяти:
ddr2;
Форм-фактор:
sodimm 200-контактный;
Тактовая частота:
533 мгц;
Пропускная способность:
4200 мб/с;
Объем:
1 модуль 2048 мб;
Поддержка ECC:
нет;
Буферизованная (Registered):
нет;
Низкопрофильная (Low Profile):
нет;
CAS Latency (CL):
4;
RAS to CAS Delay (tRCD):
4;
Row Precharge Delay (tRP):
4;
|
|
|
Тип памяти:
ddr2;
Форм-фактор:
sodimm 200-контактный;
Тактовая частота:
533 мгц;
Пропускная способность:
4200 мб/с;
Объем:
1 модуль 512 мб;
Поддержка ECC:
нет;
Буферизованная (Registered):
нет;
Низкопрофильная (Low Profile):
нет;
CAS Latency (CL):
4;
RAS to CAS Delay (tRCD):
4;
Row Precharge Delay (tRP):
4;
|
|
|
Тип памяти:
ddr2;
Форм-фактор:
fb-dimm 240-контактный;
Тактовая частота:
667 мгц;
Пропускная способность:
5300 мб/с;
Объем:
1 модуль 1024 мб;
Поддержка ECC:
есть;
Буферизованная (Registered):
да;
Низкопрофильная (Low Profile):
нет;
Напряжение питания:
1.8 в;
Радиатор:
есть;
|
|
|
